Новости IT технологий

Стартовал массовый выпуск 16-Гбит чипов DDR4 Micron в третьем поколении 10-нм техпроцесса

Стартовал массовый выпуск 16-Гбит чипов DDR4 Micron в третьем поколении 10-нм техпроцесса

Компания Micron сообщила о старте массового производства микросхем памяти DDR4 объёмом 16 Гбит с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм (1z). Предполагается, что это может быть техпроцесс с технологическими нормами 13 нм. В самой Micron эти данные не уточняют. Производством памяти DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм может также похвастаться компания Samsung, но она пока освоила выпуск 8 Гбит чипов DDR4. Судя по всему, компания Micron располагает сегодня самыми плотными в индустрии микросхемами DDR4. Переход на более тонкие технологические нормы позволил поднять производительность памяти с одновременным снижением потребления. В Micron не раскрывают скорость обмена по каждому контакту шины данных для новой 16-Гбит памяти DDR4, но в версии LPDDR4X скорость составит до 4266 Мбит/с с одновременным снижением потребления на 10 % по сравнению с памятью предыдущего поколения на техпроцессе 1y. Потребление 16-Гбит чипов DDR4 в техпроцессе 1z будет на 40 % меньше, чем в случае потребления 8-Гбит чипов DDR4 в техпроцессе 1y. Памяти в устройствах станет больше, но греться она будет меньше.

Источник: 3dnews.ru — Новости hardware

Смотреть подробнее



www.000webhost.com